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发明专利
TW201212032A 使用非揮發性記憶單元的方法 METHOD OF USING A NONVOLATILE MEMORY CELL 审中-公开
使用非挥发性记忆单元的方法 METHOD OF USING A NONVOLATILE MEMORY CELL

  • 专利标题： 使用非揮發性記憶單元的方法 METHOD OF USING A NONVOLATILE MEMORY CELL
  • 专利标题（英）： Method of using a nonvolatile memory cell
  • 专利标题（中）： 使用非挥发性记忆单元的方法 METHOD OF USING A NONVOLATILE MEMORY CELL
  • 申请号： TW100114974
    申请日： 2011-04-28
  • 公开(公告)号： TW201212032A
    公开(公告)日： 2012-03-16
  • 发明人: 姚 泰瑞 卡非 賀夫 , 史考特 葛瑞格 詹姆士
  • 申请人： 半導體組件工業公司
  • 申请人地址： SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. 美國 US
  • 专利权人： 半導體組件工業公司
  • 当前专利权人： 半導體組件工業公司
  • 当前专利权人地址： SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. 美國 US
  • 代理商 陳長文
  • 优先权： 美國 12/823,011 20100624
  • 主分类号： G11C
  • IPC分类号： G11C ;  H01L
使用非揮發性記憶單元的方法 METHOD OF USING A NONVOLATILE MEMORY CELL
摘要：
電子裝置可包括非揮發性記憶單元。在特定的實施方式中，在抹除脈衝期間，所有未選中的線是在大體上相同的電壓，而且列或部分列，例如字，在抹除脈衝期間被抹除。在另一個實施方式中，選中的控制閘極和抹除線在編程脈衝期間是在大體上相同的電壓。在另外的實施方式中，電荷載流子在編程脈衝期間穿過元件的電介質層，而且電荷載流子在抹除脈衝期間穿過不同元件的不同電介質層。
摘要（中）：

电子设备可包括非挥发性记忆单元。在特定的实施方式中，在抹除脉冲期间，所有未选中的线是在大体上相同的电压，而且列或部分列，例如字，在抹除脉冲期间被抹除。在另一个实施方式中，选中的控制闸极和抹除线在编程脉冲期间是在大体上相同的电压。在另外的实施方式中，电荷载流子在编程脉冲期间穿过组件的电介质层，而且电荷载流子在抹除脉冲期间穿过不同组件的不同电介质层。

摘要（英）：

An electronic device can include a nonvolatile memory cell. In a particular embodiment, during an erase pulse, all unselected lines are at substantially the same voltage, and a row or segment of a row, such as a word, is erased during the erase pulse. In another embodiment, selected control gate and erase lines are at substantially the same voltage during a programming pulse. In a further embodiment, charge carriers tunnel through a dielectric layer of a component during a program pulse, and charge carriers tunnel through a different dielectric layer of a different component during an erase pulse.

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