Invention Patent
- Patent Title: 半導體裝置及電力用半導體裝置
- Patent Title (English): Semiconductor device and power semiconductor device
- Patent Title (中): 半导体设备及电力用半导体设备
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Application No.: TW100133434Application Date: 2011-09-16
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Publication No.: TW201225228APublication Date: 2012-06-16
- Inventor: 齊藤泰仁 , 志村昌洋
- Applicant: 東芝股份有限公司
- Applicant Address: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
- Assignee: 東芝股份有限公司
- Current Assignee: 東芝股份有限公司
- Current Assignee Address: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
- Agent 林志剛
- Priority: 日本 2010-211910 20100922
- Main IPC: H01L
- IPC: H01L
Abstract:
關於實施型態之半導體裝置係具備:基台、被實裝在該基台上之半導體元件、設置跟基台疏離之電極端子、接續半導體元件跟電極端子之接續構件、與接合材。接續構件,係在跟半導體元件接續之一端部設置複數個貫通孔。此外,接合材係介在半導體元件、跟接續構件之間,而且,深入複數個貫通孔內。
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