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Invention Patent
TW201520187A ＬａＮｉＯ薄膜形成用組成物及使用此組成物之ＬａＮｉＯ薄膜之形成方法 审中-公开
ＬａＮｉＯ薄膜形成用组成物及使用此组成物之ＬａＮｉＯ薄膜之形成方法

ＬａＮｉＯ薄膜形成用組成物及使用此組成物之ＬａＮｉＯ薄膜之形成方法
Abstract:
本發明之課題在於針孔的產生極少，能均勻地成膜，而抑制LaNiO3前驅物之析出(沈澱)的產生，進而抑制於燒成後的LaNiO3薄膜產生裂痕。 本發明之解決手段在於：LaNiO3薄膜形成用組成物，其係包含LaNiO3前驅物、有機溶劑與安定化劑。又，相對於LaNiO3前驅物、有機溶劑與安定化劑的合計100質量%而言，LaNiO3前驅物的混合比例以氧化物換算計為1~20質量%。進而，前述有機溶劑之HSP值的分散成分dD、分極成分dP，及氫鍵成分dH，係分別滿足14
Abstract(Chinese):

本发明之课题在于针孔的产生极少，能均匀地成膜，而抑制LaNiO3前驱物之析出(沈淀)的产生，进而抑制于烧成后的LaNiO3薄膜产生裂痕。 本发明之解决手段在于：LaNiO3薄膜形成用组成物，其系包含LaNiO3前驱物、有机溶剂与安定化剂。又，相对于LaNiO3前驱物、有机溶剂与安定化剂的合计100质量%而言，LaNiO3前驱物的混合比例以氧化物换算计为1~20质量%。进而，前述有机溶剂之HSP值的分散成分dD、分极成分dP，及氢键成分dH，系分别满足14

Abstract(English):

An LaNiO33 thin-film-forming composition contains an LaNiO3 precursor, an organic solvent, and a stabilizer. Also, the mixture ratio of the LaNiO3 precursor relative to a total of 100% by mass of the LaNiO3 precursor, the organic solvent, and the stabilizer is 1-20% on an oxide basis. Further, the dispersion component (dD), the polarization component (dP), and the hydrogen bond component (dH) of the HSP value of the organic solvent fulfill, respectively, the relations 14 < dD < 20, 3 < dP < 26, and 3 < dH < 30.

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