发明专利
- 专利标题: 用於嵌入半導體晶粒之間隔層
- 专利标题(英): Spacer layer for embedding semiconductor die
- 专利标题(中): 用于嵌入半导体晶粒之间隔层
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申请号: TW103144379申请日: 2014-12-18
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公开(公告)号: TW201535621A公开(公告)日: 2015-09-16
- 发明人: 嚴俊榮 , YAN, JUNRONG , 王偉利 , WANG, WEILI , 王麗 , WANG, LI , 萊 普拉迪波 , RAI, PRADEEP , 路昕 , LU, XIN , 顧劍斌 , GU, JIANBIN , 魯鵬 , LU, PENG
- 申请人: 晟碟半導體(上海)有限公司 , SANDISK SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) CO., LTD. , 晟碟信息科技(上海)有限公司 , SANDISK INFORMATION TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD.
- 专利权人: 晟碟半導體(上海)有限公司,SANDISK SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) CO., LTD.,晟碟信息科技(上海)有限公司,SANDISK INFORMATION TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD.
- 当前专利权人: 晟碟半導體(上海)有限公司,SANDISK SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) CO., LTD.,晟碟信息科技(上海)有限公司,SANDISK INFORMATION TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD.
- 代理商 黃章典; 樓穎智
- 优先权: 201310743148.X 20131230
- 主分类号: H01L23/02
- IPC分类号: H01L23/02 ; H01L23/043 ; H01L23/053
摘要:
本發明揭示一種半導體裝置及其之一製造方法。該半導體裝置包含一半導體晶粒,諸如經安裝於一基板之一表面上之一控制器晶粒。一間隔層亦經安裝至該基板上,其中該半導體晶粒適配於經形成通過該間隔層之第一及第二主相對表面之一孔或一缺口內。可將諸如快閃記憶體晶粒之額外半導體晶粒安裝於該間隔層之頂上。
公开/授权文献
- TWI574354B 用於嵌入半導體晶粒之間隔層 公开/授权日:2017-03-11
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