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发明专利
TW201643943A 鑽石型半導體系統及方法 审中-公开
钻石型半导体系统及方法

鑽石型半導體系統及方法
摘要：
本文中揭示一種用於製造鑽石型半導體之新型且改良之系統及方法。該系統可包含具有n型供體原子及一鑽石晶格之一鑽石材料，其中在100kPa及300K，該等供體原子之0.16%將遷移率大於770cm2/Vs之傳導電子提供至該鑽石晶格。製造鑽石型半導體之方法可包含以下步驟：選擇具有一鑽石晶格之一鑽石材料；將最小量受體摻雜原子引入至該鑽石晶格，以建立離子軌道；將置換摻雜原子透過該等離子軌道引入至該鑽石晶格；及退火該鑽石晶格。
摘要（中）：

本文中揭示一种用于制造钻石型半导体之新型且改良之系统及方法。该系统可包含具有n型供体原子及一钻石晶格之一钻石材料，其中在100kPa及300K，该等供体原子之0.16%将迁移率大于770cm2/Vs之传导电子提供至该钻石晶格。制造钻石型半导体之方法可包含以下步骤：选择具有一钻石晶格之一钻石材料；将最小量受体掺杂原子引入至该钻石晶格，以创建离子轨道；将置换掺杂原子透过该等离子轨道引入至该钻石晶格；及退火该钻石晶格。

摘要（英）：

Disclosed herein is a new and improved system and method for fabricating diamond semiconductors. The system may include a diamond material having n-type donor atoms and a diamond lattice, wherein.16% of the donor atoms contribute conduction electrons with mobility greater than 770 cm2/Vs to the diamond lattice at 100 kPa and 300K. The method of fabricating diamond semiconductors may include the steps of selecting a diamond material having a diamond lattice; introducing a minimal amount of acceptor dopant atoms to the diamond lattice to create ion tracks; introducing substitutional dopant atoms to the diamond lattice through the ion tracks; and annealing the diamond lattice.

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