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发明专利
TW201727787A 半導體裝置、半導體結構及其製造方法 审中-公开
半导体设备、半导体结构及其制造方法

半導體裝置、半導體結構及其製造方法
摘要：
本發明實施例揭露半導體裝置、半導體結構及其製造方法。在一些實施例中，一種方法係包括形成一接觸墊在一半導體裝置上方。一鈍化材料係形成在該接觸墊上方。該鈍化材料具有一厚度以及一材料種類而使得可透過該鈍化材料對該接觸墊作出一電連接。
摘要（中）：

本发明实施例揭露半导体设备、半导体结构及其制造方法。在一些实施例中，一种方法系包括形成一接触垫在一半导体设备上方。一钝化材料系形成在该接触垫上方。该钝化材料具有一厚度以及一材料种类而使得可透过该钝化材料对该接触垫作出一电连接。

摘要（英）：

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof are disclosed. In some embodiments, a method includes forming a contact pad over a semiconductor device. A passivation material is formed over the contact pad. The passivation material has a thickness and is a type of material such that an electrical connection may be made to the contact pad through the passivation material.

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