本揭露提供鰭式場效電晶體裝置及其形成方法。此方法包含：將虛置閘極沿著一鰭狀物的側壁沉積並沉積於上述鰭狀物的側壁的上方，上述鰭狀物從半導體基底向上延伸；沿著上述虛置閘極的側壁形成第一閘極間隔物；以及以碳對上述第一閘極間隔物進行電漿摻雜，以形成摻雜碳的閘極間隔物。此方法還包含形成源/汲極區，上述源/汲極區鄰接上述鰭狀物的通道區；以及使碳從上述摻雜碳的閘極間隔物擴散而進入上述鰭狀物的第一區域，以提供第一摻雜碳的區域，其中上述第一摻雜碳的區域是置於上述源/汲極區的至少一部分與上述鰭狀物的上述通道區之間。