具有多終端電晶體佈局的半導體元件

发明专利

TW201834247A 具有多終端電晶體佈局的半導體元件审中-公开

简体标题：具有多终端晶体管布局的半导体组件

摘要：

本揭露係關於一種半導體元件。該半導體元件包含一閘極區域、一源極/汲極區域、以及位於該閘極區域與該源極/汲極區域之間的一絕緣層。該源極/汲極區域包含延伸於一第一方向的一第一區段、延伸平行於該第一區段的一第二區段、以及連接於該第一區段與該第二區段之間的一第三區段。

摘要（中）：

本揭露系关于一种半导体组件。该半导体组件包含一闸极区域、一源极/汲极区域、以及位于该闸极区域与该源极/汲极区域之间的一绝缘层。该源极/汲极区域包含延伸于一第一方向的一第一区段、延伸平行于该第一区段的一第二区段、以及连接于该第一区段与该第二区段之间的一第三区段。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/40	.按其电极特征区分的
H01L29/41	..以其形状、相对尺寸或位置为特征的
H01L29/417	...通有待整流、放大或切换电流的