发明专利
- 专利标题: 半導體裝置及其製造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and process of production of same
- 专利标题(中): 半导体设备及其制造方法
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申请号: TW090106921申请日: 2001-03-23
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公开(公告)号: TW504804B公开(公告)日: 2002-10-01
- 发明人: 堀內道夫 , 栗原孝 , 永岡富夫 , 青木正夫 , 水野茂
- 申请人: 新光電氣工業股份有限公司
- 申请人地址: 日本
- 专利权人: 新光電氣工業股份有限公司
- 当前专利权人: 新光電氣工業股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本
- 代理商 惲軼群; 陳文郎
- 优先权: 日本 2000-088593 20000324 日本 2000-252846 20000823
- 主分类号: H01L
- IPC分类号: H01L
摘要:
一種半導體裝置特別薄型半導體封裝體,其可降低且同時達到均勻一致的安裝高度,無需複雜的安裝個別晶片之步驟,改善製造良率,達成半導體裝置之一致高度,而不受晶片厚度變化的影響以及可全部一起執行電測試;以及一種製造該種半導體裝置之方法,其中一個半導體其背面暴露向上而安裝於絕緣帶狀基板頂面上,該帶狀基板具有通孔於其厚度方向,半導體元件側面周圍區係藉密封樹脂層密封,形成以帶狀基板底面上的金屬互連層界定帶狀基板之通孔底部,一層其厚度方向有通孔之耐焊層覆蓋金屬互連層及帶狀基板底面,由半導體元件之活性面向下伸展之連結端子插入帶狀基板之通孔內,傳導性材料組成之填料填補連結端子與帶狀基板通孔間之間隙,而將連結端子與金屬互連層電連結。
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