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发明专利
TWI231035B 具有間隙結構之高壓靜電放電保護裝置 HIGH VOLTAGE ESD PROTECTION DEVICE HAVING GAP STRUCTURE 有权
具有间隙结构之高压静电放电保护设备 HIGH VOLTAGE ESD PROTECTION DEVICE HAVING GAP STRUCTURE

具有間隙結構之高壓靜電放電保護裝置 HIGH VOLTAGE ESD PROTECTION DEVICE HAVING GAP STRUCTURE
摘要：
一種靜電放電(ESD)保護裝置，運用於橫向擴散金氧半場效電晶體(LDMOS)。本發明利用LDMOS既有之結構，額外加上一間隙結構，用以分隔擴散區與場氧化區。當 LDMOS之一寄生的矽控整流器未導通時，使ESD電流分散於其它放電路徑，用以避免ESD電流過於集中於某一放電路徑，進而造成元件之損壞。
摘要（中）：

一种静电放电(ESD)保护设备，运用于横向扩散金氧半场效应管(LDMOS)。本发明利用LDMOS既有之结构，额外加上一间隙结构，用以分隔扩散区与场氧化区。当 LDMOS之一寄生的硅控整流器未导通时，使ESD电流分散于其它放电路径，用以避免ESD电流过于集中于某一放电路径，进而造成组件之损坏。

摘要（英）：

An ESD protection device. The ESD protection device is incorporated with a gap structure in a laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) field effect transistor for isolating a doped region and a field oxide region. When a parasitical semiconductor controlled rectifier (SCR) of LDMOS is turned off, ESD current is discharged distributively through several discharge paths for avoiding ESD current focused in a signal narrow discharge path and the danger therefrom.

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