本發明提供一種製造半導體裝置中電容器之方法，其包括以下步驟：為底部電極形成一第一貴金屬薄膜；在該第一金屬薄膜上形成一鐵電薄膜；在該鐵電薄膜形成之處的所得結構上執行一第一熱製程；在經過該第一熱製程之所得結構上執行一離子植入製程；在經過該離子植入製程之所得結構上執行一第二熱製程；在經過該第二熱製程之所得結構中的鐵電薄膜上，為頂部電極形成一第二貴金屬層；及在該所得結構上執行一第三熱製程。 【創作特點】 本發明針對解決該問題，提供一種製造半導體裝置中電容器之方法，該方法在製造由底部電極之金屬薄膜－鐵電薄膜－頂部之金屬薄膜之結構所建構之電容器時，由調節鐵電薄膜之結晶度及晶粒均勻性至使其均勻來增強電容器薄膜之資料儲存能力。
本發明之一態樣係提供一種製造半導體裝置中電容器之方法，其包括以下步驟：形成一第一金屬薄膜；在該第一金屬薄膜上形成一鐵電薄膜；在該鐵電薄膜形成之處的所得結構上，執行一第一熱製程；在經過該第一熱製程之所得結構上執行一離子植入製程；在經過該離子植入製程之所得結構上執行一第二熱製程；在經過該第二熱製程之所得結構中的鐵電薄膜上，形成一第二金屬層；及在該所得結構上執行一第三熱製程。
較佳地，第一金屬層係由Ru、Pt、ir、IrOx、Re、Rh、TiN及其化合物中之一者形成。第二金屬層係由Ru、Pt、ir、IrOx、Re、Rh、TiN及其化合物中之一者形成。
較佳地，使用SBT、PZT、SBTN、BLT、經摻雜之SBT、經摻雜之PZT、經摻雜之SBTN、經摻雜之BLT、經改質之SBT、經改質之PZT、經改質之SBTN及經改質之BLT中之一者，以50至2000之厚度形成鐵電薄膜。
較佳地，第一熱製程為一溫度為300℃至800℃的氧化退火製程。離子植入製程所使用之來源較佳為(Ti)或(Ta)可分離之金屬。
較佳地，第二熱製程為一溫度為300℃至1000℃的氧化退火製程。