发明专利
TWI353661B 供嵌埋半導體晶片之電路板結構及其製法 CIRCUIT BOARD STRUCTURE CAPABLE OF EMBEDDING SEMICONDUCTOR CHIP THEREIN AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
有权
供嵌埋半导体芯片之电路板结构及其制法 CIRCUIT BOARD STRUCTURE CAPABLE OF EMBEDDING SEMICONDUCTOR CHIP THEREIN AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
- 专利标题: 供嵌埋半導體晶片之電路板結構及其製法 CIRCUIT BOARD STRUCTURE CAPABLE OF EMBEDDING SEMICONDUCTOR CHIP THEREIN AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
- 专利标题(英): Circuit board structure capable of embedding semic
- 专利标题(中): 供嵌埋半导体芯片之电路板结构及其制法 CIRCUIT BOARD STRUCTURE CAPABLE OF EMBEDDING SEMICONDUCTOR CHIP THEREIN AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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申请号: TW096112273申请日: 2007-04-09
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公开(公告)号: TWI353661B公开(公告)日: 2011-12-01
- 发明人: 周保宏 , 朱志亮 , 王維駿
- 申请人: 欣興電子股份有限公司
- 申请人地址: UNIMICRON TECHNOLOGY CORP. 桃園縣桃園市龜山工業區興邦路38號 TW
- 专利权人: 欣興電子股份有限公司
- 当前专利权人: 欣興電子股份有限公司
- 当前专利权人地址: UNIMICRON TECHNOLOGY CORP. 桃園縣桃園市龜山工業區興邦路38號 TW
- 代理商 陳昭誠
- 主分类号: H01L
- IPC分类号: H01L
摘要:
一種供嵌埋半導體晶片之電路板結構及其製法,該結構係包括:核心板,係具有一第一表面及第二表面,於該第一表面及第二表面分別具有第一線路層及第二線路層,且於該第一表面具有一晶片置放區;壓合層,係形成於該核心板之第一、第二表面及第一、第二線路層表面,且該壓合層中形成有至少一開口以露出該晶片置放區;第三及第四線路層,係分別形成於該核心板之第一及第二表面上的壓合層表面,該第三及第四線路層分別具有複數第一及第二電性連接墊;第一絕緣保護層,係形成於該壓合層、第三線路層表面,該第一絕緣保護層中具有一第一開口以露出該第三線路層中之第一電性連接墊及晶片置放區;以及第二絕緣保護層,係形成於該壓合層、第四線路層表面,該第二絕緣保護層中具有複數第二開口以露出該第四線路層中之第二電性連接墊;該晶片置放區係供接置一半導體晶片,俾以降低封裝之整體高度。
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