发明专利
- 专利标题: 半導體裝置用合接線
- 专利标题(中): 半导体设备用合接线
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申请号: TW100127912申请日: 2008-12-03
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公开(公告)号: TWI364806B公开(公告)日: 2012-05-21
- 发明人: 宇野智裕 , 木村圭一 , 山田隆
- 申请人: 新日鐵高新材料股份有限公司 , 日鐵微金屬股份有限公司
- 申请人地址: NIPPON STEEL MATERIALS CO., LTD. 日本 JP; NIPPON MICROMETAL CORPORATION 日本 JP
- 专利权人: 新日鐵高新材料股份有限公司,日鐵微金屬股份有限公司
- 当前专利权人: 新日鐵高新材料股份有限公司,日鐵微金屬股份有限公司
- 当前专利权人地址: NIPPON STEEL MATERIALS CO., LTD. 日本 JP; NIPPON MICROMETAL CORPORATION 日本 JP
- 代理商 洪澄文
- 优先权: 日本 2007-312238 20071203 日本 2008-295178 20081119 日本 PCT/JP2008/071899 20081202
- 主分类号: H01L
- IPC分类号: H01L
摘要:
本發明目的在於提供焊線表面性狀、迴路直線性、迴路高度安定性、及焊線接合形狀安定化均優越,亦能因應細線化、窄間距化、長跨距化、三維安裝等半導體安裝技術的高功能合接線。
本發明的半導體裝置用合接線,其特徵在於具備有:由導電性金屬構成的芯材、以及在該芯材上設有以與芯材不同面心立方晶金屬為主成分的表皮層之半導體裝置用合接線;其中,上述表皮層表面的長邊方向結晶方位中,<100>所佔比例達50%以上。
本發明的半導體裝置用合接線,其特徵在於具備有:由導電性金屬構成的芯材、以及在該芯材上設有以與芯材不同面心立方晶金屬為主成分的表皮層之半導體裝置用合接線;其中,上述表皮層表面的長邊方向結晶方位中,<100>所佔比例達50%以上。
公开/授权文献
- TW201207971A 半導體裝置用合接線 公开/授权日:2012-02-16
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