Invention Patent
TWI372463B 雷射照射裝置、雷射照射方法及半導體裝置的製造方法 LASER IRRADIATION APPARATUS, LASER IRRADIATION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
有权
激光照射设备、激光照射方法及半导体设备的制造方法 LASER IRRADIATION APPARATUS, LASER IRRADIATION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
- Patent Title: 雷射照射裝置、雷射照射方法及半導體裝置的製造方法 LASER IRRADIATION APPARATUS, LASER IRRADIATION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
- Patent Title (English): Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device
- Patent Title (中): 激光照射设备、激光照射方法及半导体设备的制造方法 LASER IRRADIATION APPARATUS, LASER IRRADIATION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
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Application No.: TW093136039Application Date: 2004-11-23
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Publication No.: TWI372463BPublication Date: 2012-09-11
- Inventor: 田中幸一郎 , 山本良明
- Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司
- Applicant Address: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
- Assignee: 半導體能源研究所股份有限公司
- Current Assignee: 半導體能源研究所股份有限公司
- Current Assignee Address: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
- Agent 林志剛
- Priority: 日本 2003-403155 20031202
- Main IPC: H01L
- IPC: H01L
Abstract:
本發明的目的是提供一種雷射照射裝置,此裝置與使用連續振盪的雷射的裝置相比,能夠大幅度地擴展光束點的面積,並抑制對玻璃基板的熱損傷,且能夠使結晶面向掃描方向連續地長大,形成由沿該掃描方向延長的單結晶構成的晶粒群。本發明的雷射照射裝置的特徵是包括雷射振盪器,用以轉變從雷射振盪器中發射出來的脈衝振盪雷射光的波長的非線性光學元件;以及用以將其波長被轉變了的雷射光束聚光到半導體膜上的光學系統,其中,脈衝重複率是在10MHz至100GHz的範圍中。
Public/Granted literature
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