发明专利
- 专利标题： 使用非揮發性記憶單元的方法
- 专利标题（英）： Method of using a nonvolatile memory cell
- 专利标题（中）： 使用非挥发性记忆单元的方法
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申请号： TW100114974申请日： 2011-04-28
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公开(公告)号： TWI493552B公开(公告)日： 2015-07-21
- 发明人: 姚 泰瑞 卡非 賀夫 , YAO, THIERRY COFFI HERVE , 史考特 葛瑞格 詹姆士 , SCOTT, GREGORY JAMES
- 申请人： 半導體組件工業公司 , SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
- 专利权人： 半導體組件工業公司,SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
- 当前专利权人： 半導體組件工業公司,SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
- 代理商 陳長文
- 优先权： 12/823,011 20100624
- 主分类号： G11C16/10
- IPC分类号： G11C16/10 ; H01L27/115
公开/授权文献
- TW201212032A 使用非揮發性記憶單元的方法 METHOD OF USING A NONVOLATILE MEMORY CELL 公开/授权日：2012-03-16
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