发明专利
- 专利标题： 半導體裝置及形成雙凸塊底層金屬結構以用於無鉛凸塊連接之方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method of forming a dual ubm structure for lead free bump connections
- 专利标题（中）： 半导体设备及形成双凸块底层金属结构以用于无铅凸块连接之方法
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申请号： TW100109674申请日： 2011-03-22
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公开(公告)号： TWI536470B公开(公告)日： 2016-06-01
- 发明人: 林立人 , LIN, LI JEN , 墨菲 史帝芬A , MURPHY, STEPHEN A. , 孫偉 , SUN, WEI
- 申请人： 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
- 专利权人： 史達晶片有限公司,STATS CHIPPAC, LTD.
- 当前专利权人： 史達晶片有限公司,STATS CHIPPAC, LTD.
- 代理商 閻啟泰; 林景郁
- 优先权： 61/317,664 20100325;13/030,022 20110217
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L23/488
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