利用氧化層與氮化層依序包覆電極部之場效電晶體及其製造方法

发明专利

TWI601215B 利用氧化層與氮化層依序包覆電極部之場效電晶體及其製造方法有权

简体标题：利用氧化层与氮化层依序包复电极部之场效应管及其制造方法

专利标题： 利用氧化層與氮化層依序包覆電極部之場效電晶體及其製造方法
专利标题（英）： Field effect transistor having electrode coated sequentially by oxide layer and nitride layer and manufacturing the same
专利标题（中）： 利用氧化层与氮化层依序包复电极部之场效应管及其制造方法
申请号： TW105130993

申请日： 2016-09-26
公开(公告)号： TWI601215B

公开(公告)日： 2017-10-01
发明人: 蔡宜龍 , TSAI, YI LUNG , 馬林納阿亞弟 , MRINAL, ARYADEEP , 阿馬努拉穆罕默德 , AMANULLAH, MOHAMMAD , 楊博文 , YANG, PO WEN , 梁書祥 , LIANG, SHU SIANG
申请人： 台灣半導體股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.
申请人地址： 新北市
专利权人： 台灣半導體股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.
当前专利权人： 台灣半導體股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD.
当前专利权人地址： 新北市
代理商 李長銘
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78

公开/授权文献

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的