- 专利标题： Methods of using amino(bromo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
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申请号： US14984908申请日： 2015-12-30
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公开(公告)号： US10053775B2公开(公告)日： 2018-08-21
- 发明人: Glenn Kuchenbeiser , Venkateswara R. Pallem , Nicolas Blasco , Jean-Marc Girard
- 申请人： American Air Liquide, Inc. , L'Air Liquide, Societé Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 申请人地址： FR Paris US CA Fremont
- 专利权人： L'Air Liquide, Societé Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude,American Air Liquide, Inc.
- 当前专利权人： L'Air Liquide, Societé Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude,American Air Liquide, Inc.
- 当前专利权人地址： FR Paris US CA Fremont
- 代理商 Patricia E. McQueeney; Yan Jiang
- 主分类号： C23C16/24
- IPC分类号： C23C16/24 ; C23C16/455 ; C23C16/18
摘要：
Methods of using Si-containing film forming compositions to deposit silicon-containing films using vapor deposition processes are disclosed. The disclosed Si-containing film forming composition comprises an amino(bromo)silane precursor having the formula: SiHxBry(NR1R2)4−x−y wherein x=0, 1 or 2; y=1, 2 or 3; x+y
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