- 专利标题： Semiconductor device and a method for forming a semiconductor
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申请号： US15210106申请日： 2016-07-14
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公开(公告)号： US10164019B2公开(公告)日： 2018-12-25
- 发明人: Roland Rupp , Guenther Ruhl , Hans-Joachim Schulze
- 申请人： Infineon Technologies AG
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Murphy, Bilak & Homiller, PLLC
- 优先权： DE102015111453 20150715
- 主分类号： H01L29/15
- IPC分类号： H01L29/15 ; H01L29/16 ; H01L29/36 ; H01L29/08 ; H01L29/417 ; H01L21/02 ; H01L21/265 ; H01L21/324 ; H01L29/41
摘要：
A method for forming a semiconductor device includes forming at least one graphene layer on a surface of a semiconductor substrate. The method further includes forming a silicon carbide layer on the at least one graphene layer.
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