- 专利标题： Metal line and thin film transistor
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申请号： US16013410申请日： 2018-06-20
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公开(公告)号： US10332916B2公开(公告)日： 2019-06-25
- 发明人: Dong Min Lee , Sang Won Shin , Hyun Eok Shin
- 申请人： SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
- 申请人地址： KR Yongin-Si, Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Display Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Display Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Yongin-Si, Gyeonggi-do
- 代理机构： Lee & Morse, P.C.
- 优先权： KR10-2017-0134845 20171017
- 主分类号： H01L21/44
- IPC分类号： H01L21/44 ; H01L27/12 ; H01L23/528 ; H01L23/532 ; H01L21/768 ; H01L21/285 ; H01L29/49 ; H01L29/786
摘要：
A metal line includes a conductive layer containing aluminum (Al) or an aluminum alloy, a first capping layer on the conductive layer, the first capping layer containing titanium nitride (TiNx), and a second capping layer on the first capping layer, the second capping layer containing titanium (Ti).
公开/授权文献
- US20190115369A1 METAL LINE AND THIN FILM TRANSISTOR 公开/授权日：2019-04-18
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