- 专利标题： Dynamic random access memory (DRAM) mounts
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申请号： US15781798申请日： 2015-12-16
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公开(公告)号： US10411001B2公开(公告)日： 2019-09-10
- 发明人: Eng Huat Goh , Hoay Tien Teoh
- 申请人： Intel Corporation
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Schwegman Lundberg & Woessner, P.A.
- 国际申请： PCT/US2015/065949 WO 20151216
- 国际公布： WO2017/105421 WO 20170622
- 主分类号： H01L25/18
- IPC分类号： H01L25/18 ; H01L25/00 ; H01L23/00 ; H01L23/367 ; H01L23/538 ; H01L21/48 ; H01L23/48 ; H01L25/065 ; H01L25/10
摘要：
Donut-shaped Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a hole that fits around a processor, such that the DRAM and the processor are adjacent to one another on an Integrated Circuit (TC) package. In an embodiment, a heat spreader is mounted on top of the processor and covers a top of the DRAM without touching the DRAM.
公开/授权文献
- US20180366457A1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) MOUNTS 公开/授权日：2018-12-20
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