Plasma etching method

发明授权

US10566208B2 Plasma etching method 有权

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专利标题： Plasma etching method
申请号： US16324982

申请日： 2017-07-21
公开(公告)号： US10566208B2

公开(公告)日： 2020-02-18
发明人: Takaaki Sakurai , Hirotoshi Inui
申请人： ZEON CORPORATION
申请人地址： JP Chiyoda-ku, Tokyo
专利权人： ZEON CORPORATION
当前专利权人： ZEON CORPORATION
当前专利权人地址： JP Chiyoda-ku, Tokyo
代理机构： Kenja IP Law PC
优先权： JP2016-165009 20160825
国际申请： PCT/JP2017/026553 WO 20170721
国际公布： WO2018/037799 WO 20180301
主分类号： H01L21/311
IPC分类号： H01L21/311 ; H01L21/3065

摘要：

A plasma etching method for etching a multilayer laminate in which a silicon oxide film and a silicon nitride film are stacked includes an etching step of plasma etching the silicon oxide film and the silicon nitride film using a gas of a non-bromine-containing fluorocarbon together with a gas of a bromine-containing fluorocarbon compound represented by a compositional formula C3H2BrF3.

公开/授权文献

US20190228983A1 PLASMA ETCHING METHOD 公开/授权日：2019-07-25

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理
H01L21/311	.......绝缘层的刻蚀