- 专利标题： Array of cross point memory cells
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申请号： US16041374申请日： 2018-07-20
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公开(公告)号： US10741755B2公开(公告)日： 2020-08-11
- 发明人: Scott E. Sills , Durai Vishak Nirmal Ramaswamy , Alessandro Calderoni
- 申请人： Micron Technology, Inc.
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Wells St. John P.S.
- 主分类号： H01L27/24
- IPC分类号： H01L27/24 ; H01L27/11 ; H01L45/00 ; H01L27/11507
摘要：
An array of cross point memory cells comprises spaced first lines which cross spaced second lines. Two memory cells are individually between one of two immediately adjacent of the second lines and a same single one of the first lines.
公开/授权文献
- US20180331283A1 Array Of Cross Point Memory Cells 公开/授权日：2018-11-15
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