- 专利标题： Semiconductor apparatus including power gating circuits
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申请号： US17141934申请日： 2021-01-05
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公开(公告)号： US11374568B2公开(公告)日： 2022-06-28
- 发明人: Woongrae Kim
- 申请人： SK hynix Inc.
- 申请人地址： KR Icheon-si
- 专利权人： SK hynix Inc.
- 当前专利权人： SK hynix Inc.
- 当前专利权人地址： KR Icheon-si
- 代理机构： William Park & Associates Ltd.
- 优先权： KR10-2017-0132778 20171012
- 主分类号： H03K19/00
- IPC分类号： H03K19/00 ; H03K17/14 ; H03K19/0175 ; H03K19/003 ; H03K5/135 ; G06F9/4401 ; G06F1/26 ; G06F1/28 ; G06F1/3287 ; H03K5/134 ; G06F1/20 ; G06F1/10 ; G06F1/324 ; G06F1/3296 ; H03K5/00
摘要：
A semiconductor apparatus may include logic circuits and a control logic. The control logic may be configured to monitor characteristics of the logic circuits to allow the semiconductor apparatus to perform at different operating speeds.
公开/授权文献
- US20210126635A1 SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING POWER GATING CIRCUITS 公开/授权日：2021-04-29
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