Low on resistance power MOSFET with variably spaced trenches and offset contacts

发明申请

US20050006700A1 Low on resistance power MOSFET with variably spaced trenches and offset contacts 有权

标题翻译：具有可变间隔沟槽和偏移触点的低导通电阻功率MOSFET

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专利标题： Low on resistance power MOSFET with variably spaced trenches and offset contacts
专利标题（中）： 具有可变间隔沟槽和偏移触点的低导通电阻功率MOSFET
申请号： US10864056

申请日： 2004-06-08
公开(公告)号： US20050006700A1

公开(公告)日： 2005-01-13
发明人: Jianjun Cao
申请人： Jianjun Cao
专利权人： International Rectifier Corporation
当前专利权人： International Rectifier Corporation
主分类号： H01L29/06
IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L29/74 ; H01L29/78

Low on resistance power MOSFET with variably spaced trenches and offset contacts

摘要：

A power semiconductor device of the trench variety in which the trenches follow a serpentine path.

摘要（中）：

沟槽品种的功率半导体器件，其中沟槽遵循蛇形路径。

公开/授权文献

US07075147B2 Low on resistance power MOSFET with variably spaced trenches and offset contacts 公开/授权日：2006-07-11

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06	..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的