发明申请
- 专利标题： Polysilicon bipolar transistor and method of manufacturing it
- 专利标题（中）： 多晶硅双极晶体管及其制造方法
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申请号： US10916774申请日： 2004-08-12
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公开(公告)号： US20050106829A1公开(公告)日： 2005-05-19
- 发明人: Uwe Rudolph , Martin Seck , Armin Tilke
- 申请人： Uwe Rudolph , Martin Seck , Armin Tilke
- 申请人地址： DE Munchen
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Munchen
- 优先权： DE10205712.5-33 20020212
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331 ; H01L29/10 ; H01L29/423 ; H01L27/082 ; H01L27/102 ; H01L29/70 ; H01L31/11
摘要：
In the inventive method of producing a base terminal structure for a bipolar transistor, an etch stop layer is applied on a single-crystal semiconductor substrate, a poly-crystal base terminal layer is produced on the etch stop layer and an emitter window is etched in the base terminal layer using the etch stop layer as an etch stop.
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