Method for preventing a metal corrosion in a semiconductor device

发明申请

US20060019492A1 Method for preventing a metal corrosion in a semiconductor device 失效

标题翻译：用于防止半导体器件中的金属腐蚀的方法

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专利标题： Method for preventing a metal corrosion in a semiconductor device
专利标题（中）： 用于防止半导体器件中的金属腐蚀的方法
申请号： US11179455

申请日： 2005-07-11
公开(公告)号： US20060019492A1

公开(公告)日： 2006-01-26
发明人: Jae Lee
申请人： Jae Lee
专利权人： DongbuAnam Semiconductor Inc.
当前专利权人： DongbuAnam Semiconductor Inc.
优先权： KR2004-56363 20040720
主分类号： H01L21/461
IPC分类号： H01L21/461

摘要：

The present invention relates to a method for preventing a metal corrosion in a semiconductor device. The present method includes the steps of etching of a metal layer in a chamber, the metal layer having a photoresist pattern thereon or thereover; oxidizing a surface of the metal layer using a plasma comprising N2O in the same chamber; and removing the photoresist. Therefore, metal corrosion as well as bridges between metal wirings can be suppressed or prevented, thereby improving the profile of metal layer and the reliability and yield of the semiconductor device.

摘要（中）：

本发明涉及一种在半导体器件中防止金属腐蚀的方法。本方法包括以下步骤：在室中蚀刻金属层，金属层在其上具有光致抗蚀剂图案; 在同一个室中使用包含N 2 O 2的等离子体对金属层的表面进行氧化; 并去除光致抗蚀剂。因此，可以抑制或防止金属腐蚀以及金属布线之间的桥接，从而改善金属层的轮廓以及半导体器件的可靠性和产量。

公开/授权文献

US07468319B2 Method for preventing a metal corrosion in a semiconductor device 公开/授权日：2008-12-23

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割