发明申请
- 专利标题： Film forming method
- 专利标题（中）： 成膜方法
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申请号： US11117341申请日： 2005-04-29
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公开(公告)号： US20060030161A1公开(公告)日： 2006-02-09
- 发明人: Hideaki Machida , Yoshio Ohshita , Atsushi Ogura , Masato Ishikawa , Takeshi Kada
- 申请人： Hideaki Machida , Yoshio Ohshita , Atsushi Ogura , Masato Ishikawa , Takeshi Kada
- 申请人地址： JP Kitatsuru-Gun
- 专利权人： Tri Chemical Laboratories Inc.
- 当前专利权人： Tri Chemical Laboratories Inc.
- 当前专利权人地址： JP Kitatsuru-Gun
- 优先权： JP2004-231619 20040806
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31
摘要：
A technique capable of forming an NiSi film having excellent characteristics, which TiSi2 or CoSi2 produced thus far is not able to assume, without damaging a substrate is provided. A film forming material for forming a nickel silicide film or a Nickel film is provided, wherein an Ni source of said film is Ni(PF3)4.
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