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发明申请
US20060049486A1 Method of self-assembling electronic circuitry and circuits formed thereby 有权

  • 专利标题： Method of self-assembling electronic circuitry and circuits formed thereby
  • 申请号： US10538935
    申请日： 2002-12-18
  • 公开(公告)号： US20060049486A1
    公开(公告)日： 2006-03-09
  • 发明人: Praveen Chaudhari
  • 申请人： Praveen Chaudhari
  • 国际申请： PCT/US02/40307 WO 20021218
  • 主分类号： H01L31/117
  • IPC分类号： H01L31/117
Method of self-assembling electronic circuitry and circuits formed thereby
摘要：
A method of assembling a circuit includes providing a template, enabling a semiconductor material to self assemble on the template, and enabling self-assembly of a connection between the semiconductor material and the template to form the circuit and a circuit created by self-assembly.
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31/10 ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管
H01L31/115 ...对很短波长，如X射线、γ射线或微粒子辐射敏感的器件
H01L31/117 ....体效应辐射探测器型的，如Ge-Li补偿PINγ射线探测器
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