发明申请
- 专利标题： Flash memory
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申请号： US11217920申请日： 2005-09-01
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公开(公告)号： US20060067128A1公开(公告)日： 2006-03-30
- 发明人: Andrei Mihnea , Chun Chen
- 申请人： Andrei Mihnea , Chun Chen
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04
摘要：
Flash memory supporting methods for erasing memory cells using a decrease in magnitude of a source voltage of a first polarity to increase the magnitude of a control gate voltage of a second polarity during an erase period.
公开/授权文献
- US07272044B2 Flash memory 公开/授权日：2007-09-18
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