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发明申请
US20060094173A1 Method for forming semiconductor device 失效
半导体器件形成方法

  • 专利标题： Method for forming semiconductor device
  • 专利标题（中）： 半导体器件形成方法
  • 申请号： US11311365
    申请日： 2005-12-20
  • 公开(公告)号： US20060094173A1
    公开(公告)日： 2006-05-04
  • 发明人: Akira Takahashi
  • 申请人： Akira Takahashi
  • 优先权： JP118227/2001 20010417; JP312351/2000 20001012
  • 主分类号： H01L21/84
  • IPC分类号： H01L21/84
Method for forming semiconductor device
摘要：
In a method for forming a silicon-on-insulator FET providing a contact to be given a fixed potential to a substrate, substrate-biasing between an SOI transistor and the silicon substrate is performed via a plug. As a result, the contact hole for the substrate-biasing does not need to pass through an insulating layer, a silicon layer, and an interlayer insulating layer. Therefore, the interlayer insulating layer can be made to have shallow depth. Ions can be implanted to the surface of the substrate via the contact hole for substrate biasing. As a result, contact holes for substrate-biasing can be formed without the contact holes for substrate-biasing causing an opening fault.
摘要（中）：

在形成提供给基板的固定电位的接触的绝缘体上硅FET的方法中，通过插头进行SOI晶体管和硅衬底之间的衬底偏置。 结果，用于衬底偏压的接触孔不需要通过绝缘层，硅层和层间绝缘层。 因此，可以使层间绝缘层的深度较浅。 离子可以通过用于衬底偏压的接触孔植入衬底的表面。 结果，可以形成用于基板偏压的接触孔，而不会产生用于基板偏置的接触孔，从而导致打开故障。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84 .....衬底不是半导体的，例如绝缘体
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