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Invention Application
US20060094232A1 Methods of forming planarized multilevel metallization in an integrated circuit 有权
在集成电路中形成平面化多层金属化的方法

  • Patent Title: Methods of forming planarized multilevel metallization in an integrated circuit
  • Patent Title (中): 在集成电路中形成平面化多层金属化的方法
  • Application No.: US10976539
    Application Date: 2004-10-29
  • Publication No.: US20060094232A1
    Publication Date: 2006-05-04
  • Inventor: Chin-Ta Su , Jerry Lai , Yu-Lin Yen
  • Applicant: Chin-Ta Su , Jerry Lai , Yu-Lin Yen
  • Main IPC: H01L21/4763
  • IPC: H01L21/4763
Methods of forming planarized multilevel metallization in an integrated circuit
Abstract:
A method is provided for forming a semiconductor device that reduces metal-stress-induced photo misalignment by incorporating a multi-layered anti-reflective coating over a metal layer. The method includes providing a substrate with a conductive layer formed over the substrate, depositing a multi-layered anti-reflective coating (including alternating layers of titanium and titanium nitride), defining a plurality of conductive lines in connection with a first etching step, depositing a dielectric layer, and defining at least one via in connection with a second etching step.
Abstract(Chinese):

提供了一种形成半导体器件的方法，该半导体器件通过在金属层上并入多层抗反射涂层来减少金属应力诱导的光失准。 该方法包括：在衬底上形成导电层的衬底，沉积多层抗反射涂层（包括钛和氮化钛的交替层），与第一蚀刻步骤相结合形成多条导电线，沉积 介电层，并且与第二蚀刻步骤相关地限定至少一个通孔。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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