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发明申请
US20060104134A1 Semiconductor memory devices incorporating voltage level shifters for controlling a VPP voltage level independently and methods of operating the same 失效
包含用于独立控制VPP电压电平的电压电平移位器的半导体存储器件及其操作方法

  • 专利标题： Semiconductor memory devices incorporating voltage level shifters for controlling a VPP voltage level independently and methods of operating the same
  • 专利标题（中）： 包含用于独立控制VPP电压电平的电压电平移位器的半导体存储器件及其操作方法
  • 申请号： US11243428
    申请日： 2005-10-04
  • 公开(公告)号： US20060104134A1
    公开(公告)日： 2006-05-18
  • 发明人: Dong-jun Kim , Hee-joo Choi , Kae-won Ha
  • 申请人： Dong-jun Kim , Hee-joo Choi , Kae-won Ha
  • 优先权： KR2004-0078695 20041004
  • 主分类号： G11C29/00
  • IPC分类号： G11C29/00
Semiconductor memory devices incorporating voltage level shifters for controlling a VPP voltage level independently and methods of operating the same
摘要：
A voltage level shifter for a semiconductor memory device includes a VPP level control circuit that is configured to detect a VPP voltage and to change the VPP voltage in response to a package burn-in mode signal and a test mode signal independent of at least one direct current voltage generated in response to the package burn-in mode signal.
摘要（中）：

用于半导体存储器件的电压电平转换器包括VPP电平控制电路，其被配置为响应于封装老化模式信号和独立于至少一个直接的测试模式信号来检测VPP电压并改变VPP电压 响应于封装老化模式信号产生的电流电压。

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