发明申请
- 专利标题： Structure of strained silicon on insulator and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 绝缘子上的应变硅的结构及其制造方法
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申请号： US11071150申请日： 2005-03-04
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公开(公告)号： US20060118870A1公开(公告)日： 2006-06-08
- 发明人: Young-soo Park , Wenxu Xianyu , Takashi Noguchi
- 申请人： Young-soo Park , Wenxu Xianyu , Takashi Noguchi
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 优先权： KR10-2004-0103111 20041208
- 主分类号： H01L27/12
- IPC分类号： H01L27/12
摘要：
Provided is a strained SOI structure and a method of manufacturing the strained SOI structure. The strained SOI structure includes an insulating substrate, a SiO2 layer formed on the insulating substrate, and a strained silicon layer formed on the SiO2 layer.
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