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发明申请
US20060134909A1 Method for fabricating semiconductor device 审中-公开
制造半导体器件的方法

Method for fabricating semiconductor device
摘要：
The method for fabricating the semiconductor device comprises the step of forming an insulating film 14 having an opening 18; the step of forming an organic resist film 20a; the step of forming over the organic resist film 20a a mask film 20b having etching characteristics different from those of the organic resist film 20a; the step of forming an opening in the mask film 20b; and the step of etching the organic resist film 20a with the mask film 20b as the mask. In the step of etching the organic resist film, the organic resist film 20a is etched with a mixed gas of nitrogen gas and oxygen gas.
摘要（中）：

制造半导体器件的方法包括形成具有开口18的绝缘膜14的步骤; 形成有机抗蚀剂膜20a的步骤; 在有机抗蚀剂膜20上形成具有与有机抗蚀剂膜20a的蚀刻特性不同的蚀刻特性的掩模膜20b的步骤; 在掩模膜20b中形成开口的步骤; 以及用掩模膜20b作为掩模蚀刻有机抗蚀剂膜21a的步骤。 在蚀刻有机抗蚀剂膜的步骤中，用氮气和氧气的混合气体蚀刻有机抗蚀剂膜20a。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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