利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20060145199A1 Thin film layer, heating electrode, phase change memory including thin film layer and methods for forming the same 有权
薄膜层，加热电极，包括薄膜层的相变存储器及其形成方法

  • 专利标题： Thin film layer, heating electrode, phase change memory including thin film layer and methods for forming the same
  • 专利标题（中）： 薄膜层，加热电极，包括薄膜层的相变存储器及其形成方法
  • 申请号： US11324381
    申请日： 2006-01-04
  • 公开(公告)号： US20060145199A1
    公开(公告)日： 2006-07-06
  • 发明人: Choong-Man Lee
  • 申请人： Choong-Man Lee
  • 优先权： KR10-2005-0000375 20050104
  • 主分类号： H01L29/768
  • IPC分类号： H01L29/768
Thin film layer, heating electrode, phase change memory including thin film layer and methods for forming the same
摘要：
A thin film layer, a heating electrode, a phase change memory including the thin film layer, and methods for forming the same. The method of forming the thin film layer by atomic layer deposition (ALD) may include injecting a titanium (Ti) source, a nitrogen (N) source, and/or an aluminum (Al) source onto a substrate at different flow rates and for different periods of time. The heating electrode may include a Ti1-xAlxN layer, wherein x is about 0.4
摘要（中）：

薄膜层，加热电极，包括薄膜层的相变存储器及其形成方法。 通过原子层沉积（ALD）形成薄膜层的方法可以包括以不同的流速将钛（Ti）源，氮（N）源和/或铝（Al）源）注入到衬底上，并且 不同的时间段。 加热电极可以包括Ti 1-x Al 2 O x N层，其中x在接触相变的加热电极的第一部分处为约0.4

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/762 ....电荷转移器件
H01L29/765 .....电荷耦合器件
H01L29/768 ......具有由绝缘栅产生的场效层的
0/0