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发明申请
US20060148235A1 Devices and methods of preventing plasma charging damage in semiconductor devices 失效
防止半导体器件中的等离子体充电损坏的装置和方法

  • 专利标题： Devices and methods of preventing plasma charging damage in semiconductor devices
  • 专利标题（中）： 防止半导体器件中的等离子体充电损坏的装置和方法
  • 申请号： US11027049
    申请日： 2004-12-30
  • 公开(公告)号： US20060148235A1
    公开(公告)日： 2006-07-06
  • 发明人: Jae Kim
  • 申请人： Jae Kim
  • 优先权： KR10-2003-0101298 20041231
  • 主分类号： H01L21/4763
  • IPC分类号： H01L21/4763
Devices and methods of preventing plasma charging damage in semiconductor devices
摘要：
Methods for protecting semiconductor devices from plasma charging damage are disclosed. An example disclosed method includes depositing an etching stop layer on a substrate with at least one predetermined structure; depositing a premetallic dielectric layer and a charge preservation layer on the entire surface of the etching stop layer; depositing an insulating layer on the surface of the resulting structure; and forming an metallic interconnect on the insulating layer.
摘要（中）：

公开了保护半导体器件免受等离子体充电损坏的方法。 一个示例公开的方法包括：在具有至少一个预定结构的衬底上沉积蚀刻停止层; 在蚀刻停止层的整个表面上沉积金属间介电层和电荷保存层; 在所得结构的表面上沉积绝缘层; 以及在所述绝缘层上形成金属互连。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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