Insulating film and semiconductor device

发明申请

US20060163676A1 Insulating film and semiconductor device 有权

标题翻译：绝缘膜和半导体器件

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专利标题： Insulating film and semiconductor device
专利标题（中）： 绝缘膜和半导体器件
申请号： US11318622

申请日： 2005-12-28
公开(公告)号： US20060163676A1

公开(公告)日： 2006-07-27
发明人: Tatsuo Shimizu , Takeshi Yamaguchi
申请人： Tatsuo Shimizu , Takeshi Yamaguchi
专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
优先权： JP2005-018482 20050126
主分类号： H01L29/94
IPC分类号： H01L29/94

Insulating film and semiconductor device

摘要：

An insulating film includes an oxide or an oxynitride of a constituent element having a positive valence. The oxide or the oxynitride contains an additive element having a larger valence than the constituent element in a range not less than 3×10−8 at % and less than 1.6×10−3 at %.

摘要（中）：

绝缘膜包括具有正价化合物的氧化物或氧氮化物。氧化物或氮氧化物含有比构成元素价格大的添加元素，其含量在不小于3×10 -8 at％且小于1.6×10 -3 -3的范围内％。

公开/授权文献

US07518199B2 Insulating film containing an additive element and semiconductor device 公开/授权日：2009-04-14

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92	...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
H01L29/94	....金属—绝缘体—半导体，例如MOS