发明申请
US20060175597A1 Phase change memory cell with high read margin at low power operation
有权
在低功率运行时具有高读余量的相变存储单元
- 专利标题： Phase change memory cell with high read margin at low power operation
- 专利标题（中）： 在低功率运行时具有高读余量的相变存储单元
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申请号： US11102350申请日： 2005-04-08
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公开(公告)号： US20060175597A1公开(公告)日： 2006-08-10
- 发明人: Thomas Happ
- 申请人： Thomas Happ
- 专利权人： Infineon Technologies North America Corp.
- 当前专利权人： Infineon Technologies North America Corp.
- 主分类号： H01L29/02
- IPC分类号： H01L29/02 ; H01L21/76
摘要：
A memory cell device includes a first electrode, a heater adjacent the first electrode, phase-change material adjacent the heater, a second electrode adjacent the phase-change material, and isolation material adjacent the phase-change material for thermally isolating the phase-change material.
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