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发明申请
US20060211186A1 Method for forming gate in semiconductor device 失效
在半导体器件中形成栅极的方法

  • 专利标题： Method for forming gate in semiconductor device
  • 专利标题（中）： 在半导体器件中形成栅极的方法
  • 申请号： US11156287
    申请日： 2005-06-17
  • 公开(公告)号： US20060211186A1
    公开(公告)日： 2006-09-21
  • 发明人: Yun Chun , Hyung Choi
  • 申请人： Yun Chun , Hyung Choi
  • 优先权： KR10-2005-0021390 20050315
  • 主分类号： H01L21/8234
  • IPC分类号： H01L21/8234 ;  H01L21/4763 ;  H01L21/3205
Method for forming gate in semiconductor device
摘要：
Disclosed herein is a method for forming a gate in a semiconductor device, which can improve the characteristics of the device. The method comprises the steps of: providing a substrate having active and field regions; selectively etching a portion of the active region to form a trench; forming on the substrate including the trench an amorphous conductive film for forming a gate; subjecting the resulting structure to an annealing process so as to convert the amorphous conductive film into a crystalline conductive film; and selectively etching the crystalline conductive film so as to form a gate covering the corner portion of the trench.
摘要（中）：

这里公开了一种用于在半导体器件中形成栅极的方法，其可以改善器件的特性。 该方法包括以下步骤：提供具有活性和场区的衬底; 选择性蚀刻有源区的一部分以形成沟槽; 在包括沟槽的基板上形成用于形成栅极的非晶导体膜; 对所得到的结构进行退火处理，以将非晶导电膜转化为结晶导电膜; 并且选择性地蚀刻结晶导电膜以形成覆盖沟槽的角部的栅极。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
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