Aerosol misted deposition of low dielectric organosilicate films

发明申请

US20060211271A1 Aerosol misted deposition of low dielectric organosilicate films 失效

标题翻译：气溶胶雾化沉积低介电有机硅酸盐薄膜

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专利标题： Aerosol misted deposition of low dielectric organosilicate films
专利标题（中）： 气溶胶雾化沉积低介电有机硅酸盐薄膜
申请号： US11082991

申请日： 2005-03-17
公开(公告)号： US20060211271A1

公开(公告)日： 2006-09-21
发明人: Scott Weigel , Jean Vincent , Sarah Coulter , James MacDougall
申请人： Scott Weigel , Jean Vincent , Sarah Coulter , James MacDougall
主分类号： H01L21/31
IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/469

Aerosol misted deposition of low dielectric organosilicate films

摘要：

This invention relates to an improvement in a deposition process for producing low dielectric films having a dielectric constant of 3, preferably

摘要（中）：

本发明涉及用于制备介电常数为3，优选<2.7及更低的低电介质膜的沉积工艺的改进。该方法包括以下步骤：（a）形成由含有Si-O和Si-C键的有机硅源和溶剂组成的液体前体溶液; （b）产生所述液体前体溶液的液雾，所述雾存在于数均平均液滴直径尺寸小于0.5μm的前体溶液液滴; （c）优选对所述液体前体溶液液滴的液雾充电; （d）将所述液体前体溶液液滴的液雾沉积到基底上; 和（e）将这样沉积的液体前体溶液液滴的液体转化成固体低电介质膜。

公开/授权文献

US07446055B2 Aerosol misted deposition of low dielectric organosilicate films 公开/授权日：2008-11-04

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择