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发明申请
US20060244020A1 CMOS image sensors and methods of manufacturing the same 审中-公开
CMOS图像传感器及其制造方法

  • 专利标题： CMOS image sensors and methods of manufacturing the same
  • 专利标题（中）： CMOS图像传感器及其制造方法
  • 申请号： US11319603
    申请日： 2005-12-29
  • 公开(公告)号： US20060244020A1
    公开(公告)日： 2006-11-02
  • 发明人: Duck-Hyung Lee
  • 申请人： Duck-Hyung Lee
  • 优先权： KR10-2005-0035747 20050428
  • 主分类号： H01L31/113
  • IPC分类号： H01L31/113 ;  H01L21/00
CMOS image sensors and methods of manufacturing the same
摘要：
A CMOS image sensor (CIS) includes an active unit pixel having an Indium-doped impurity layer located below a transfer gate which transfers charges between a photo-receiving element and a floating diffusion region of the active unit pixel.
摘要（中）：

CMOS图像传感器（CIS）包括有源单元像素，其具有位于传输门下方的掺杂铟的杂质层，其在受光元件和有源单元像素的浮动扩散区域之间传送电荷。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31/10 ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管
H01L31/101 ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/112 ....以场效应工作为特征的，如结型场效应光敏晶体管
H01L31/113 .....为导体—绝缘体—半导体型的，如金属—绝缘体—半导体场效应晶体管
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