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发明申请
US20060261422A1 Semiconductor device and method for manufacturing the same 审中-公开
半导体装置及其制造方法

Semiconductor device and method for manufacturing the same
摘要：
A semiconductor device includes a gate insulating film formed on a silicon substrate, a gate electrode formed on the gate insulating film, and an electrical insulating film formed on the gate electrode. The electrical insulating film includes a N—H bond and substantially no Si—H bond. The electrical insulating film is formed by using tetrachlorosilane (SiCl4) that contains no hydrogen (H) as a source gas for a silicon nitride film. Thus, the semiconductor device can suppress residual hydrogen in the gate insulating film and prevent interface defects of the gate insulating film, a shift in the threshold voltage of a transistor, and the degradation of an on-state current. A method for manufacturing the semiconductor device also is provided.
摘要（中）：

半导体器件包括形成在硅衬底上的栅极绝缘膜，形成在栅极绝缘膜上的栅电极和形成在栅电极上的电绝缘膜。 电绝缘膜包括N-H键并且基本上不含Si-H键。 通过使用不含氢（H）的四氯硅烷作为氮化硅膜的源气体来形成电绝缘膜。 因此，半导体器件可以抑制栅极绝缘膜中的残留氢，并防止栅极绝缘膜的界面缺陷，晶体管的阈值电压的偏移和导通状态电流的劣化。 还提供了一种用于制造半导体器件的方法。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
H01L29/94 ....金属—绝缘体—半导体，例如MOS
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