发明申请
- 专利标题： Semiconductor memory device
- 专利标题（中）： 半导体存储器件
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申请号： US11356213申请日： 2006-02-17
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公开(公告)号： US20060285378A1公开(公告)日： 2006-12-21
- 发明人: Kunisato Yamaoka , Hiroshige Hirano , Masahiko Sakagami
- 申请人： Kunisato Yamaoka , Hiroshige Hirano , Masahiko Sakagami
- 专利权人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 优先权： JP2005-180198 20050621
- 主分类号： G11C11/22
- IPC分类号： G11C11/22
摘要：
In order to omit a reset transistor between a storage node and a cell plate line of a memory cell, a cell plate line is fixed to a potential substantially equal to a ground potential and a bit line is driven with positive and negative voltages.
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