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发明申请
US20060292853A1 Method for fabricating an integrated semiconductor circuit and semiconductor circuit 审中-公开
用于制造集成半导体电路和半导体电路的方法

  • 专利标题： Method for fabricating an integrated semiconductor circuit and semiconductor circuit
  • 专利标题（中）： 用于制造集成半导体电路和半导体电路的方法
  • 申请号： US11158318
    申请日： 2005-06-22
  • 公开(公告)号： US20060292853A1
    公开(公告)日： 2006-12-28
  • 发明人: Rory Dickman
  • 申请人： Rory Dickman
  • 申请人地址： DE Munich
  • 专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • 当前专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • 当前专利权人地址： DE Munich
  • 主分类号： H01L21/4763
  • IPC分类号： H01L21/4763
Method for fabricating an integrated semiconductor circuit and semiconductor circuit
摘要：
The present invention relates to a method for fabricating an integrated semiconductor circuit having a conductor structure buried in a semiconductor substrate, and to an integrated semiconductor circuit, in which case the integrated semiconductor circuit may be an application specific semiconductor circuit or a semiconductor circuit that can be adapted for an application.
摘要（中）：

本发明涉及一种用于制造具有埋入半导体衬底中的导体结构的集成半导体电路的方法和集成半导体电路，在这种情况下，集成半导体电路可以是专用半导体电路或半导体电路， 适应应用程序。

信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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