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发明申请
US20070001241A1 Semiconductor devices having nitrogen-incorporated active region and methods of fabricating the same 有权
具有氮结合有源区的半导体器件及其制造方法

Semiconductor devices having nitrogen-incorporated active region and methods of fabricating the same
摘要：
A semiconductor device may include a semiconductor substrate having a first region and a second region. The nitrogen-incorporated active region may be formed within the first region. A first gate electrode may be formed on the nitrogen-incorporated active region. A first gate dielectric layer may be interposed between the nitrogen-incorporated active region and the first gate electrode. The first gate dielectric layer may include a first dielectric layer and a second dielectric layer. The second dielectric layer may be a nitrogen contained dielectric layer. A second gate electrode may be formed on the second region. A second gate dielectric layer may be interposed between the second region and the second gate electrode. The first gate dielectric layer may have the same or substantially the same thickness as the second gate dielectric layer, and the nitrogen contained dielectric layer may contact with the nitrogen-incorporated active region.
摘要（中）：

半导体器件可以包括具有第一区域和第二区域的半导体衬底。 可以在第一区域内形成含氮的有源区。 可以在引入氮的有源区上形成第一栅电极。 第一栅极电介质层可插入在引入氮的有源区和第一栅电极之间。 第一栅介质层可以包括第一介电层和第二介电层。 第二电介质层可以是含氮介电层。 第二栅极电极可以形成在第二区域上。 可以在第二区域和第二栅电极之间插入第二栅极电介质层。 第一栅极介电层可以具有与第二栅极介电层相同或基本相同的厚度，并且含氮介电层可以与引入氮的有源区接触。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
H01L29/94 ....金属—绝缘体—半导体，例如MOS
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