发明申请
US20070018336A1 Stress and force management techniques for a semiconductor die
审中-公开
半导体芯片的应力和力量管理技术
- 专利标题： Stress and force management techniques for a semiconductor die
- 专利标题（中）： 半导体芯片的应力和力量管理技术
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申请号： US11516097申请日： 2006-09-05
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公开(公告)号： US20070018336A1公开(公告)日： 2007-01-25
- 发明人: Warren Farnworth , William Hiatt , Tim Murphy , John Caldwell , Michael Slaughter , David Hembree , Jamie Wanke
- 申请人： Warren Farnworth , William Hiatt , Tim Murphy , John Caldwell , Michael Slaughter , David Hembree , Jamie Wanke
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48
摘要：
Stress and force management techniques for a semiconductor die to help compensate for stress within the semiconductor die and to help compensate for forces applied to the semiconductor die to minimize damage thereto.
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