Composition for forming etching stopper layer

发明申请

US20070026667A1 Composition for forming etching stopper layer 审中-公开

标题翻译：用于形成蚀刻阻挡层的组合物

请登陆查看更多内容

专利标题： Composition for forming etching stopper layer
专利标题（中）： 用于形成蚀刻阻挡层的组合物
申请号： US10574556

申请日： 2004-09-09
公开(公告)号： US20070026667A1

公开(公告)日： 2007-02-01
发明人: Yuji Tashiro , Hiroyuki Aoki , Tomonori Ishikawa
申请人： Yuji Tashiro , Hiroyuki Aoki , Tomonori Ishikawa
优先权： JP2003-352219 20031010
国际申请： PCT/JP04/13125 WO 20040909
主分类号： H01L21/4763
IPC分类号： H01L21/4763

Composition for forming etching stopper layer

摘要：

An object of the present invention is to provide a composition for formation of etching stopper layer, which can simultaneously realize dry etching selectivity and low permittivity, and a production process of a semiconductor device using the same. This object can be attained by a composition for formation of etching stopper layer, comprising a silicon-containing polymer, the silicon-containing polymer contained in the composition comprising a disilylbenzene structure, and a production process of a semiconductor device comprising forming an etching stopper layer using the composition.

摘要（中）：

本发明的目的在于提供一种能够同时实现干蚀刻选择性和低介电常数的蚀刻停止层的形成用组合物及使用其的半导体装置的制造方法。该目的可以通过用于形成蚀刻停止层的组合物来实现，该组合物包括含硅聚合物，包含二甲硅烷基苯结构的组合物中所含的含硅聚合物，以及半导体器件的制造方法，包括形成蚀刻停止层使用组合。

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）