Method of manufacturing a thin film transistor matrix substrate

发明申请

US20070042537A1 Method of manufacturing a thin film transistor matrix substrate 有权

标题翻译：制造薄膜晶体管矩阵基板的方法

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专利标题： Method of manufacturing a thin film transistor matrix substrate
专利标题（中）： 制造薄膜晶体管矩阵基板的方法
申请号： US11359947

申请日： 2006-02-22
公开(公告)号： US20070042537A1

公开(公告)日： 2007-02-22
发明人: Liu-Chung Lee
申请人： Liu-Chung Lee
专利权人： AU Optronics Corporation
当前专利权人： AU Optronics Corporation
优先权： TW94128098 20050817
主分类号： H01L21/84
IPC分类号： H01L21/84 ; H01L21/00

摘要：

A method of manufacturing a thin film transistor matrix substrate is provided. The first photo-mask process is used to define a gate electrode and a signal electrode. The second photo-mask process is used to obtain different thickness of a PR layer in different regions for forming a channel, gate electrode through holes, signal electrode through holes and conductive pads. The third photo-mask process is used to define a source, a drain, an upper signal electrode, a pixel electrode, gate electrode pads and signal electrode pads.

摘要（中）：

提供了制造薄膜晶体管矩阵基板的方法。第一光掩模工艺用于限定栅电极和信号电极。第二光掩模工艺用于获得用于形成通道，栅电极通孔，信号电极通孔和导电焊盘的不同区域中PR层的不同厚度。第三光掩模工艺用于定义源极，漏极，上部信号电极，像素电极，栅极电极焊盘和信号电极焊盘。

公开/授权文献

US07678619B2 Method of manufacturing a thin film transistor matrix substrate 公开/授权日：2010-03-16

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84	.....衬底不是半导体的，例如绝缘体