Method of forming a low resistance semiconductor contact and structure therefor

发明申请

US20070072416A1 Method of forming a low resistance semiconductor contact and structure therefor 有权

标题翻译：形成低电阻半导体触点及其结构的方法

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专利标题： Method of forming a low resistance semiconductor contact and structure therefor
专利标题（中）： 形成低电阻半导体触点及其结构的方法
申请号： US11232757

申请日： 2005-09-23
公开(公告)号： US20070072416A1

公开(公告)日： 2007-03-29
发明人: Gordon Grivna , Prasad Venkatraman
申请人： Gordon Grivna , Prasad Venkatraman
专利权人： Semiconductor Components Industries, LLC
当前专利权人： Semiconductor Components Industries, LLC
主分类号： H01L21/44
IPC分类号： H01L21/44 ; H01L21/336

Method of forming a low resistance semiconductor contact and structure therefor

摘要：

In one embodiment, silicide layers are formed on two oppositely doped adjacent semiconductor regions. A conductor material is formed electrically contacting both of the two silicides.

摘要（中）：

在一个实施例中，硅化物层形成在两个相对掺杂的相邻半导体区域上。电导体材料与两个硅化物电接触地形成。

公开/授权文献

US07736984B2 Method of forming a low resistance semiconductor contact and structure therefor 公开/授权日：2010-06-15

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/44	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的